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50 GHzおよび35 GHz単一フォトダイオード
Cバンドまたはデュアルバンド動作を必要とする通信や研究開発用途に、当社のフォトダイオードをご活用ください。チップ内蔵のバイアス機能と、オプションの低PDL(光電圧)の利点を最大限に活かしていただけます。
当社の高速デバイスは、導波管とアクティブフォトダイオードの組み合わせを最適化しています。優れた直線性、高い感度、そして卓越したRF応答の平坦性を実現しており、そのため、高光出力時においても優れた性能を発揮します。
高速フォトダイオード – 主な仕様
0.5 A/Wを超える高い応答性を活かし、光通信部品、先端部品の研究開発、およびマイクロ波フォトニクスなどの用途にご活用ください。
型番 |
帯域幅(GHz) |
50 Ω 抵抗による終端処理 |
Wavelength Band (nm) |
偏波依存損失 PDL (dB) |
CXPDV2120R |
50 |
✔ |
1550 |
0.5 |
CXPDV2320R |
50 |
✔ |
1310および1550 |
0.5 |
CXPDV2050R |
50 |
✔ |
1550 |
0.25 |
CXPDV2120 |
35 |
̵ |
1550 |
0.5 |
CXPDV2050 |
35 |
̵ |
1550 |
0.25 |