SiC基板およびエピタキシー

パワーエレクトロニクス向けSiC

電気自動車およびハイブリッド車、ならびに航空宇宙用途向けの高温・高周波電力電子機器向けに、MOSFET、IGBT、その他の部品を製造する。

Our conductive SiC substrates combine low resistivity, low defect density, high homogeneity, superior crystal quality, and high thermal conductivity to enable devices with low power dissipation, high-frequency operation, and good thermal stability.

n型炭化ケイ素材料の物性

Coherent continuously improves our materials quality and increases substrate diameters to enable our customers to increase device performance and lower costs.

n型炭化ケイ素材料の物性

物理的特性

構造

六方晶、単結晶

直径

最大200ミリメートル

成績

プライム、開発、機械

熱特性

Thermal Conductivity

370 (W/mK) 室温時

熱膨張係数

4.5 × 10⁻⁶/K

比熱(25°C)

0.71 (J/g・℃)

Additional Key Properties of Coherent SiC Substrates (typical values)

パラメータ

N型

ポリタイプ

4H

ドーパント

窒素

比抵抗

1019 オーム・cm

オリエンテーション

4°オフアクシス

粗さ、Ra

<5Å

転位密度

約3,000 cm⁻²

マイクロパイプ密度

< 10cm-2