SiC基板およびエピタキシー
パワーエレクトロニクス向けSiC
電気自動車およびハイブリッド車、ならびに航空宇宙用途向けの高温・高周波電力電子機器向けに、MOSFET、IGBT、その他の部品を製造する。
Our conductive SiC substrates combine low resistivity, low defect density, high homogeneity, superior crystal quality, and high thermal conductivity to enable devices with low power dissipation, high-frequency operation, and good thermal stability.
n型炭化ケイ素材料の物性
Coherent continuously improves our materials quality and increases substrate diameters to enable our customers to increase device performance and lower costs.
n型炭化ケイ素材料の物性 |
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物理的特性 |
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構造 |
六方晶、単結晶 |
直径 |
最大200ミリメートル |
成績 |
プライム、開発、機械 |
熱特性 |
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Thermal Conductivity |
370 (W/mK) 室温時 |
熱膨張係数 |
4.5 × 10⁻⁶/K |
比熱(25°C) |
0.71 (J/g・℃) |
Additional Key Properties of Coherent SiC Substrates (typical values) |
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パラメータ |
N型 |
ポリタイプ |
4H |
ドーパント |
窒素 |
比抵抗 |
1019 オーム・cm |
オリエンテーション |
4°オフアクシス |
粗さ、Ra |
<5Å |
転位密度 |
約3,000 cm⁻² |
マイクロパイプ密度 |
< 10cm-2 |