SiC系基板およびエピタキシー

パワーエレクトロニクス向けSiC

電気自動車やハイブリッド車、航空宇宙分野で使用される、高温・高周波パワーエレクトロニクス向けのMOSFET、IGBT、その他の部品を製造しています。

Unsere leitfähigen SiC-Substrate zeichnen sich durch einen niedrigen spezifischen Widerstand, eine geringe Defektdichte, eine hohe Homogenität, eine hervorragende Kristallqualität und eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus und ermöglichen so Bauteile mit geringer Verlustleistung, Hochfrequenzbetrieb und guter thermischer Stabilität.

n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften

Coherent verbessert kontinuierlich die Qualität seiner Werkstoffe und vergrößert die Substratdurchmesser, damit unsere Kunden die Leistung ihrer Geräte steigern und die Kosten senken können.

n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften

Physikalische Eigenschaften

Struktur

Sechseckig, Einkristall

Durchmesser

Bis zu 200 mm

Grade

Prime, Entwicklung, Mechanik

Thermische Eigenschaften

Wärmeleitfähigkeit

370 (W/mK) bei Raumtemperatur

Wärmeausdehnungskoeffizient

4,5 x 10-6/K

Spezifische Wärme (25 °C)

0,71 (J/g°C)

Weitere wichtige Eigenschaften von Coherent SiC-Substraten (typische Werte)

パラメータ

N-Typ

Polytyp

4H

Dotierstoff

Stickstoff

Widerstand

1019 オーム・cm

Ausrichtung

4° außeraxial

Rauhigkeit, Ra

< 5 Å

Versetzungsdichte

~3.000 cm-2

Mikrorohrdichte

< 10 cm-2