SiC系基板およびエピタキシー
パワーエレクトロニクス向けSiC
電気自動車やハイブリッド車、航空宇宙分野で使用される、高温・高周波パワーエレクトロニクス向けのMOSFET、IGBT、その他の部品を製造しています。
Unsere leitfähigen SiC-Substrate zeichnen sich durch einen niedrigen spezifischen Widerstand, eine geringe Defektdichte, eine hohe Homogenität, eine hervorragende Kristallqualität und eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus und ermöglichen so Bauteile mit geringer Verlustleistung, Hochfrequenzbetrieb und guter thermischer Stabilität.
n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften
Coherent verbessert kontinuierlich die Qualität seiner Werkstoffe und vergrößert die Substratdurchmesser, damit unsere Kunden die Leistung ihrer Geräte steigern und die Kosten senken können.
n-Typ Siliziumkarbid Werkstoff – Eigenschaften |
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Physikalische Eigenschaften |
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Struktur |
Sechseckig, Einkristall |
Durchmesser |
Bis zu 200 mm |
Grade |
Prime, Entwicklung, Mechanik |
Thermische Eigenschaften |
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Wärmeleitfähigkeit |
370 (W/mK) bei Raumtemperatur |
Wärmeausdehnungskoeffizient |
4,5 x 10-6/K |
Spezifische Wärme (25 °C) |
0,71 (J/g°C) |
Weitere wichtige Eigenschaften von Coherent SiC-Substraten (typische Werte) |
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パラメータ |
N-Typ |
Polytyp |
4H |
Dotierstoff |
Stickstoff |
Widerstand |
1019 オーム・cm |
Ausrichtung |
4° außeraxial |
Rauhigkeit, Ra |
< 5 Å |
Versetzungsdichte |
~3.000 cm-2 |
Mikrorohrdichte |
< 10 cm-2 |