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고속 O-C 및 L-밴드 파이버 광학 통신용 InP 기반 레이저, 장치, 포토다이오드 제품입니다.
냉각되지 않은 경우 100mW의 출력 전력과 냉각 시 300mW의 출력 전력을 확보하여 최첨단 O-밴드 트랜시버에 대해 각각 레인당 100Gbps 및 200Gbps를 구현할 수 있습니다.
4개의 O-밴드 CWDM 파장 모두에서 사용할 수 있는 NRZ 또는 PAM4(4레벨) 변조를 기반으로 하는 고속 비냉각식 트랜시버에서 사용하는 13XXnm 레이저 다이오드 칩입니다.
mW의 13XXnm 레이저 출력이 필요한 광학 트랜시버 및 기타 구성 요소를 구축할 때 사용하는 패브리-페로(FP) 및 분산 피드백(DFB) 레이저 다이오드 칩입니다.
56GBd 및 112GBd PAM4 변조를 이용하는 광학 트랜시버를 위한 최적의 트랜스미터 장치.
1310nm에서 0.8A/W의 일반적인 반응도로 1270-1620nm 파장 범위 어디에서나 채널을 모니터링할 때 사용하는 자체 밀폐형 장치입니다.
(28Gbps) NRZ 또는 (56Gbps) PAM4용으로 구성된 플러그형 트랜시버에서 사용하는 13XXnm 포토다이오드 어레이 칩으로서, 낮은 암전류와 높은 신뢰도라는 장점이 있습니다.
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