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これらのInPベースのレーザ、デバイス、フォトダイオード製品は、高速O、C、Lバンドの光ファイバー通信に使用できます。
非冷却時の出力は100 mW、冷却時の出力は300 mWで、最先端のOバンドトランシーバーでレーンあたりそれぞれ100 Gbpsと200 Gbpsを得ることができます。
NRZまたはPAM4（4レベル）変調をベースとした高速非冷却式トランシーバーには、4つのOバンドCWDM波長すべてで利用できる13XX nmレーザダイオードチップを使用できます。
ファブリーペロー（FP）および分布帰還（DFB）型レーザダイオードチップを使用することで、数mWの13XX nmレーザ出力が必要な光トランシーバーやその他のコンポーネントを構築できます。
56 GBdおよび112 GBd PAM4変調を採用している光トランシーバーに最適な送信機。
これらの自己密閉型デバイスは、1270～1620 nmの波長範囲でチャネルモニタリングに使用でき、標準的な応答性は1310 nmで0.8 A/Wです。
(28 Gbps) NRZまたは(56 Gbps) PAM4用に構成されたプラガブルトランシーバーにこれらの13XX nmフォトダイオードアレイチップを使用することで、低暗電流と高信頼性からのメリットを得ることができます。
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