材料
反応結合SiC
ほぼあらゆるサイズや形状のRB-SiC部品を調達可能です。高平坦性、深い浸透深度、内部冷却チャネルなど、ご要望に応じてカスタマイズいたします。
RB-SiC offers a unique combination of physical characteristics - high-temperature resistance, low CTE, chemical inertness, high strength, and strength-to-weight ratio - for applications in high-voltage electronics, semiconductor tooling, and more.
Reaction Bonded SiC Properties
さまざまな機械的、熱的、電気的特性に合わせて最適化された、幅広いRB-SiC基板材料からお選びいただけます。
不動産 |
SSC-702 |
SSC-802 |
SSC-902 |
SSC-HTC |
SSC-FG （微細結晶SiSiC） |
HSC-702 (Si/SiC+Al) |
TSC-15 (Si/SiC + Ti) |
RBBC-751 (B₄C/SiC/Si) |
SiCAM 700 |
SiCAM 800 |
SiC含有量（体積％） |
70 |
80 |
90 |
78 |
70 |
70 |
80 |
70B4C 10SiC |
70 |
80 |
Si含有量（体積％） |
30 |
20 |
10 |
22 |
30 |
30 |
20 |
20 |
30 |
20 |
かさ密度（g/cm³） |
2.95 |
3.00 |
3.12 |
3.02 |
2.94 |
3.01 |
3.13 |
2.56 |
2.95 |
3.00 |
ヤング率（GPa） [E] |
350 |
380 |
410 |
373 |
330 |
330 |
390 |
400 |
345 |
365 |
ポアソン比 |
0.18 |
0.18 |
0.18 |
0.2 |
0.18 |
0.19 |
0.19 |
0.18 |
0.185 |
0.185 |
曲げ強度（MPa） |
270 |
280 |
280 |
265 |
350 |
275 |
225 |
280 |
280 |
290 |
破断靭性（MPa・m¹/²） |
4 |
4 |
4 |
3.5 |
4 |
5 |
5 |
5 |
3.2 |
3.2 |
CTE（25～100°C）（ppm/K） |
2.9 |
2.9 |
2.7 |
2.9 |
3 |
4.4 |
3 |
4.8 |
3.2 |
3.1 |
熱伝導率（W/mK） |
170 |
180 |
190 |
255 |
150 |
200 |
210 |
52 |
177 |
185 |
比熱（J/kg・K） |
680 |
670 |
660 |
670 |
680 |
700 |
670 |
890 |
686 |
674 |
比剛性（E/ρ） |
119 |
127 |
131 |
- |
112 |
109 |
125 |
156 |
117 |
122 |
熱的安定性 (k/α) |
59 |
62 |
70 |
- |
50 |
45 |
70 |
11 |
55 |
60 |
