材料

反応結合型SiC

ほぼあらゆるサイズや形状のRB-SiCコンポーネントをご提供いたします。これらはご要望に応じてカスタマイズが可能で、高い平坦性、深い浸透深度、内部冷却チャネルなどを備えています。

RB-SiCは、耐熱性、低い熱膨張係数(WAK)、化学的安定性、高い強度、そして優れた強度対重量比といった、独自の物理的特性の組み合わせを備えており、高電圧電子機器、半導体製造装置、およびその他の分野での用途に適しています。

反応結合型SiC – 特性

さまざまな機械的、熱的、電気的特性に合わせて最適化された、RB-SiC基板材料のラインナップからお選びください。

特性

SSC-702

SSC-802

SSC-902

SSC-HTC

SSC-FG

(微細粒SiSiC)

HSC-702

(Si/SiC+Al)

TSC-15

(Si/SiC + Ti)

RBBC-751

(B₄C/SiC/Si)

SiCAM 700

SiCAM 800

SiC含有量(体積%)

70

80

90

78

70

70

80

70B4C

10SiC

70

80

シリコン含有量(体積%)

30

20

10

22

30

30

20

20

30

20

かさ密度(g/cm³)

2.95

3.00

3.12

3.02

2.94

3.01

3.13

2.56

2.95

3.00

ヤング率(GPa) [E]

350

380

410

373

330

330

390

400

345

365

曲げ係数

0.18

0.18

0.18

0.2

0.18

0.19

0.19

0.18

0.185

0.185

曲げ強度(MPa)

270

280

280

265

350

275

225

280

280

290

破断靭性(MPa・m¹/²

4

4

4

3.5

4

5

5

5

3.2

3.2

WAK (25~100 °C) (ppm/K)

2.9

2.9

2.7

2.9

3

4.4

3

4.8

3.2

3.1

熱伝導率(W/mK)

170

180

190

255

150

200

210

52

177

185

比熱(J/kg・K)

680

670

660

670

680

700

670

890

686

674

比剛性(E/ρ)

119

127

131

-

112

109

125

156

117

122

熱的安定性 (k/α)

59

62

70

-

50

45

70

11

55

60