レーザー部品および付属品
マルチワット単一発光素子レーザーダイオード
次世代ファイバーレーザーの駆動や、その他の高出力レーザーダイオード用途に必要な、高い出力、高い結合効率、そして高い信頼性を実現します。
Diese Geräte nutzen einen langen Verstärkungsbereich und liefern bis zu 28 Watt von einem einzelnen Emitter. Darüber hinaus bieten sie eine hohe Zuverlässigkeit; Unser proprietärer E2-Passivierungsprozess eliminiert selbst bei diesen hohen Ausgangsleistungen katastrophale optische Schäden (COD) an der Ausgangsseite.
Laserdioden der Mini-Butterfly CM-Serie
Wählen Sie aus einem breiten Spektrum an Leistungen und Wellenlängen, um Anwendungen im Faserlaserpumpen, in der Materialberarbeitung, im Druck und in der medizinischen Therapie zu optimieren.
- 4W 9XXnm 44 Mikron Hochleistungs-Einzel-Emitter-Laserdiode auf Submount
- 4W 808nm 90 Mikron Hochleistungs-Einzel-Emitter-Laserdiode auf Submount
- 8W 808nm 190 Mikron Hochleistungs-Einzel-Emitter-Laserdiode auf Submount
- 9W 9XXnm 90 Mikron Hochleistungs-Einzel-Emitter-Laserdiode auf Submount
- 13W 9XXnm 94 Mikron Hochleistungs-Einzel-Emitter-Laserdiode auf Submount
- 22W 9XXnm 190 Mikron Hochleistungs-Einzel-Emitter-Laserdiode auf Submount
Modellnummer |
Ausgangsleistung (W) |
Zentralwellenlänge1 (nm) |
Emitterbreite (µm) |
||
SES13-915-94-01 |
13 |
915 ± 10 |
94 |
||
SES13-940-94-01 |
13 |
940 ± 10 |
94 |
||
SES13-975B-94-01 |
13 |
976 ± 3 |
94 |
||
SES22-915-01 |
22 |
915 ± 10 |
190 |
||
SES22-975-01 |
22 |
975 ± 10 |
190 |
||
SES4-808A-01 |
4 |
806 ± 3 |
90 |
||
SES4-808B-01 |
4 |
803 ± 3 |
90 |
||
SES4-808C-01 |
4 |
808 ± 2.5 |
90 |
||
SES8-808A-01 |
8 |
806 ± 3 |
190 |
||
SES8-808B-01 |
8 |
803 ± 3 |
190 |
||
SES8-808C-01 |
8 |
808 ± 2.5 |
190 |
||
SES4-940-01 |
4 |
940 ± 10 |
44 |
||
SES4-940B-01 |
4 |
940 ± 3 |
44 |
||
SEC9-915-01 |
9 |
915 ± 10 |
90 |
||
SEC9-940-01 |
9 |
940 ± 10 |
90 |
||
SEC9-975-01 |
9 |
975 ± 10 |
90 |
||
1. Andere Mittenwellenlängen sowie reduziertes Wellenlängenfenster/erweiterte Bereiche sind auf Anfrage erhältlich (900 - 1070 nm).
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