SiC系基板およびエピタキシー
SiCエピタキシー
Coherent SiCエピタキシャルウェハーを活用することで、市場投入の迅速化、コスト削減、およびデバイスの性能向上を実現できます。
Coherent bietet eine Gesamtlösung für SiC-Werkstoffe mit Optionen für dicke Epilayer mit oder ohne Puffer, niedrig dotierte Schichten, Mehrschichtstrukturen, p-n-Übergänge, eingebettete/vergrabene Strukturen und Kontaktschichten und vieles mehr. Wir unterstützen Forschung und Entwicklung bis hin zur Serienproduktion.
SiC-Epitaxie-Fähigkeiten – Highlights
Modernste SiC-Epitaxie-Technologie
Rekordniedrige Defektdichte durch effiziente Pufferschichttechnologie
Verhindert die Keimbildung kristalliner Defekte zu Beginn des Wachstums
Umwandlungsrate von BPD in TED >99,8 % → 1 BPD pro cm2
Ermöglicht bipolare SiC-Gerätetechnologie
Erstklassige Schichthomogenität mit LPE PE106
Einstellbare seitliche Gasströme
Hohe Wachstumsrate von 40 µm/h bei Verwendung von TCS als Siliziumvorläufer
Dickschichtwachstum von 150 µm und mehr
Niedrige Dotierungskonzentrationen von 1×1014/cm3
Ermöglicht >15 kV SiC-Bauteiltechnologie