ネットワーク技術
高性能な100 mW DFBレーザーダイオードチップ
非冷却時で100 mW、冷却時で300 mWの出力を実現し、最先端のOバンド・トランシーバーにおいて、1チャネルあたりそれぞれ100 Gbit/sおよび200 Gbit/sの伝送を可能にします。
Diese Chips sind in vier Wellenlängenbändern erhältlich, um den Wellenlängenanforderungen des Grobmultiplexings (CWDM) in ungekühlten DR4- und DR8-Transceivern gerecht zu werden. Sie zeichnen sich durch eine hohe Zuverlässigkeit aus und sind gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen qualifiziert.
Leistungsstarke Laserdiodenchips mit 100 mW
Testen und inspizieren Sie diese Chips auf durchsichtigem Klebeband mit Greifring Ø 150 mm. Zukunftssichere Technologie, die fortschrittliche Silizium-Transceiver-Designs bis 1,6 T unterstützt.
主な特徴
Entwickelt für ungekühltes O-Band CWDM4
Qualifiziert gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen
Ausgezeichnete Zuverlässigkeit
Obere Anoden- und Rückseitenkathodenkonfiguration
Entspricht RoHS
Verfügbare Wellenlängen - CWDM4 1270 nm bis 1330 nm
関連商品
注目の成功事例
Laser Framework、シーメンスのデジタルファクトリーで存在感を示す
Coherent 開発支援とCoherent FrameWorkソフトウェアにより、シーメンスはID Link製造プログラムを成功裏に導入することができました。