ネットワーク技術

高性能な100 mW DFBレーザーダイオードチップ

非冷却時で100 mW、冷却時で300 mWの出力を実現し、最先端のOバンド・トランシーバーにおいて、1チャネルあたりそれぞれ100 Gbit/sおよび200 Gbit/sの伝送を可能にします。

Diese Chips sind in vier Wellenlängenbändern erhältlich, um den Wellenlängenanforderungen des Grobmultiplexings (CWDM) in ungekühlten DR4- und DR8-Transceivern gerecht zu werden. Sie zeichnen sich durch eine hohe Zuverlässigkeit aus und sind gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen qualifiziert.

Leistungsstarke Laserdiodenchips mit 100 mW

Testen und inspizieren Sie diese Chips auf durchsichtigem Klebeband mit Greifring Ø 150 mm. Zukunftssichere Technologie, die fortschrittliche Silizium-Transceiver-Designs bis 1,6 T unterstützt.

主な特徴

  • Entwickelt für ungekühltes O-Band CWDM4

  • Qualifiziert gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen

  • Ausgezeichnete Zuverlässigkeit

  • Obere Anoden- und Rückseitenkathodenkonfiguration

  • Entspricht RoHS

  • Verfügbare Wellenlängen - CWDM4 1270 nm bis 1330 nm