ネットワーク技術
100 Gbit/s PAM4 DFBレーザーダイチップ
この13XX nmレーザーダイオードチップは、NRZまたはPAM4(4値)変調方式を採用した非冷却型高速トランシーバーに使用でき、OバンドのCWDM全4波長に対応しています。
Diese kompakten Chips lassen sich dank ihres großen Betriebstemperaturbereichs – von 0 bis +85 °C – und ihrer Konfiguration mit oberer Anode und rückseitiger Kathode sehr einfach in steckbare Transceiver integrieren. Sie zeichnen sich durch hohe Zuverlässigkeit aus und sind vollständig RoHS-konform.
CWDM DFB Laserdiodenchips
Verwenden Sie diese Chips in Gigabit-Ethernet- und Storage-Area-Netzwerken sowie drahtlosen 5G-Fronthaul-Datenverbindungen. Sie sind gemäß GR-468 für die Verwendung in nicht-hermetischen Gehäusen konzipiert.
主な特徴
Ideal für ungekühltes 100 Gbit/s PAM 4
Entwickelt nach GR-468 für die Verwendung in nicht-hermetischen Verpackungen
Obere Anoden- und Rückseitenkathodenkonfiguration
Entspricht RoHS
Verfügbare Wellenlängen – CWDM4 1270 nm bis 1330 nm