ネットワーク技術

100 Gbit/s PAM4 DFBレーザーダイチップ

この13XX nmレーザーダイオードチップは、NRZまたはPAM4(4値)変調方式を採用した非冷却型高速トランシーバーに使用でき、OバンドのCWDM全4波長に対応しています。

Diese kompakten Chips lassen sich dank ihres großen Betriebstemperaturbereichs – von 0 bis +85 °C – und ihrer Konfiguration mit oberer Anode und rückseitiger Kathode sehr einfach in steckbare Transceiver integrieren. Sie zeichnen sich durch hohe Zuverlässigkeit aus und sind vollständig RoHS-konform.

CWDM DFB Laserdiodenchips

Verwenden Sie diese Chips in Gigabit-Ethernet- und Storage-Area-Netzwerken sowie drahtlosen 5G-Fronthaul-Datenverbindungen. Sie sind gemäß GR-468 für die Verwendung in nicht-hermetischen Gehäusen konzipiert.

主な特徴

  • Ideal für ungekühltes 100 Gbit/s PAM 4

  • Entwickelt nach GR-468 für die Verwendung in nicht-hermetischen Verpackungen

  • Obere Anoden- und Rückseitenkathodenkonfiguration

  • Entspricht RoHS

  • Verfügbare Wellenlängen – CWDM4 1270 nm bis 1330 nm