ネットワーク技術
バックライト付きモニター用フォトダイオード(EMPD)チップ
これらの自己密閉型デバイスは、1270~1620 nmの波長範囲全域でのチャネルモニタリングに使用でき、1310 nmにおける標準的な感度は0.8 A/Wです。
Diese kompakten, kantenbeleuchteten InGaAs-Monitor-Fotodiodenchips verfügen über eine nominelle aktive Fläche von 210 μm x 210 μm und einen Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 90 °C. Dies vereinfacht ihre Integration in Transceiver, Transponder und andere Geräte.
バックライト付きモニター用フォトダイオード(EMPD)チップ
Verwenden Sie diese GR-468-qualifizierten Chips in nicht hermetischen Gehäusen, um leistungsstarke Kommunikationskomponenten mit hoher Zuverlässigkeit und extrem niedrigem Dunkelstrom zu erstellen.
主な特徴
Große aktive Fläche – nominell 210 μm x 210 μm
Betriebstemperatur: -40 °C bis +90 °C
Qualifiziert gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen
Extrem niedriger Dunkelstrom bei hoher Zuverlässigkeit
Reaktion auf 1270–1620 nm mit typischer Reaktionsfähigkeit von 0,8 A/W bei 1310 nm
Entspricht RoHS