ネットワーク技術

100 Gbit/s および 200 Gbit/s EML

56 GBdおよび112 GBd PAM4変調方式に対応した光トランシーバー向けの最適な送信機。

Unser Hochgeschwindigkeits-EML-Chip bietet eine hervorragende Bandbreite und optische Signalqualität für Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikationsverbindungen. Diese leistungsstarken und zuverlässigen Geräte sind für eine kostengünstige nicht hermetische Verpackung ausgelegt und qualifiziert.

EML-Chip

Verwenden Sie diese Hochleistungs-Emitter für Datenkommunikations-Glasfaserverbindungen von 100G bis 3,2T. Zukunftssicheres Design auf Basis bewährter InP-Technologie.

主な特徴

  • Verfügbare Alternativen: 112 Gb/s (56 GBd PAM4-Modulation) oder 224 Gb/s (112 GBd PAM4-Modulation)
  • Verfügbare Wellenlängen: CWDM
  • Kompatibel mit kostengünstigen, nicht hermetischen Verpackungen
  • Betriebstemperatur: 50–60 °C
  • Der integrierte HF-Abschlusswiderstand sorgt für eine überlegene Signalintegrität

主な特徴

  • Verfügbare Alternativen: 112 Gb/s (56 GBd PAM4-Modulation) oder 224 Gb/s (112 GBd PAM4-Modulation)
  • Verfügbare Wellenlängen: CWDM
  • Kompatibel mit kostengünstigen, nicht hermetischen Verpackungen
  • Betriebstemperatur: 50–60 °C
  • Der integrierte HF-Abschlusswiderstand sorgt für eine überlegene Signalintegrität